GW30H60DFB (STGW30H60DFB), IGBT транзистор, 60 А, 600 В, 260 Вт, 1.55 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
- Готово к отправке
- Оптом и в розницу
- Код: 101364
70,99 ₴
Показать оптовые цены
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Количество Выводов 3
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.55В
Стиль Корпуса Транзистора to-247
Рассеиваемая Мощность 260Вт
DC Ток Коллектора 60А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 600в
Линейка Продукции HB Series
Максимальная рабочая температура +175 °C
Длина 15.75мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 60 A
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеивание мощности 260 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 5.15мм
Высота 20.15мм
Число контактов 3
Размеры 15.75 x 5.15 x 20.15мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Тип канала N
Maximum Operating Temperature +175 °C
Length 15.75мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage 600 В
Maximum Continuous Collector Current 60 А
Package Type TO-247
Maximum Power Dissipation 260 Вт
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 5.15мм
Высота 20.15мм
Pin Count 3
Dimensions 15.75 x 5.15 x 20.15мм
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Channel Type N
Вес, г 6.604
- Цена: 70,99 ₴