Транзистор 2N60C (FQPF2N60C) N-MOSFET; польовий; 600 В; 2А; 23 Вт; TO220F

FQPF2N60C є N-канальним, силовим МОП-транзисстором QFET® з режимом збагачення та використанням запатентованої та технології DMOS від компанії Fairchild Semiconductor. Ця вдосконалена технологія МОП-транзисора була спеціально розроблена для зниження опору в активному стані, забезпечення чудових характеристик перемикання та високого рівня енергетичної сили командного процесу. Він підходить для імпульсних джерел живлення, активної корекції коефіцієнта потужності (PFC) й електронних лампових баластів.

• Низький рівень заряду затвора (8.5нКл)
• Низький рівень Crss 4.3пФ
• Лавинне тестування 100%

Технічні параметри

Максимальна робоча температура    +150 °C
Максимальний безперервний струм стоку    2 A
Тип корпусу    TO-220F
Максимальне розсіювання потужності    23 W
Тип монтажа    Монтаж на плату в отвори
Розміри    10.16 x 4.7 x 9.19мм
Матеріал транзизора    Кремний
Кількість елементів на ІС    1
Transistor Configuration    Одинарний
Типовий час затримки увімкнення    9 нс
Виробник    ON Semiconductor
Типовий час затримки вимкнення    24 ns
Серія    QFET
Мінімальна робоча температура    -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage    2V
Максимальний опір стік-висток    4.7 Ω
Максимальна напруга стік-висток    600 В
Число контактів    3
Категорія    Потужний МОП-транзисстор
Типовий заряд затвора за Vgs    8.5 nC @ 10 V
Типова вхідна ємність за Vds    180 пФ за 25 В
Тип каналу    N
Максимальна напруга затвор-висток    -30 V, +30 V
Id — безперервний струм витоку    2 A
Pd — розсіювання потужності    23 W
Rds Вмик — опір стік-висток    4.7 Ohms
Vds — напруга пробою стік-висток    600 V
Vgs — напруга затвор-висток    30 V
Вид монтажа    Through Hole
Час наростання    25 ns
Час спаду    28 ns
Інші назви товару No    FQPF2N60C_NL
Канальний режим    Enhancement
Категорія продукту    МОП-транзистор
Кількість каналів    1 Channel
Конфігурація    Single
Крутість характеристики прямого передавання — Мін.    5 S
Максимальна робоча температура    + 150 C
Мінімальна робоча температура    55 C
Підкатегорія    MOSFETs
Полярність транзизора    N-Channel
Розмір фабричного паковання    1000
Серія    FQPF2N60C
Технологія    Si
Тип    MOSFET
Тип продукту    MOSFET
Тип транзизора    1 N-Channel
Торгова марка    ON Semiconductor / Fairchild
Паковання    Tube
Паковання/блок    TO-220FP-3