GW30H60DFB (STGW30H60DFB), IGBT транзистор, 60 А, 600 В, 260 Вт, 1.55 В, TO-247, 3 виведення (ов)
- В наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: 101364
70,99 ₴
Показати оптові ціни
Напівпровідники — Дискретні/Транзистори/БТИЗ Одиничні
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Максимальна Робоча температура 175 C
Кількість виводів 3
Напруга колектор-Еміттер 1.55В
Стиль Корпусу Транзизора to-247
Розсіювана Потужність 260 Вт
DC Струм колектора 60А
Напруга Насичення Колектор-Еміттер Vce (on) 600 В
Лінійка Продукції HB Series
Максимальна робоча температура +175 °C
Довжина: 15.5 мм
Transistor Configuration Одинарний
Виробник STMicroelectronics
Максимальна напруга К-Е (колектор-емітер) 600 В
Максимальний безперервний струм колектора 60 A
Тип корпусу TO-247
Максимальне розсіювання потужності 260 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отвори
Мінімальна робоча температура -55 °C
Ширина 5.15мм
Висота 20.15мм
Число контактів 3
Розміри 15.5 x 5.15 x 20.15 мм
Максимальна напруга затвор-емітер ±20V
Тип каналу N
Maximum Operating Temperature +175 °C
Length 15.5 мм
Transistor Configuration Одинарний
Brand STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage 600 В
Maximum Continuous Collector Current 60 А
Package Type TO-247
Maximum Power Dissipation 260 Вт
Mounting Type Монтаж на плату в отвори
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 5.15мм
Висота 20.15мм
Pin Count 3
Dimensions 15.5 x 5.15 x 20.15 мм
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Channel Type N
Вага, г 6.604
- Ціна: 70,99 ₴
